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リチウムドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜

リチウムドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜は、ゾルゲル法において過塩素酸リチウムをリチウム源として過酸化タングステン法を用いてリチウムドーピングすることで作製できる。専門家は、以下の実験を通してリチウムドーピング後の酸化タングステン薄膜の特性変化を研究し、ドーピング量について考察した。

リチウムドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜

詳細(xì)については、以下をご覧ください。

http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

リチウムドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜

基板には、シート抵抗15ΩのITO導(dǎo)電性ガラスを用い、2.5cm×2.5cmの小片に切斷しました。成膜品質(zhì)を確保するため、基板はコーティング前に厳密に洗浄しました?;澶?、無水エタノール、アセトン、脫イオン水を用いてそれぞれ20分間超音波洗浄しました。最後に、真空乾燥機(jī)で乾燥させ、密封して保管しました。

まず、タングステン粉末を秤量し、ビーカーに入れて過酸化水素と反応させました。ビーカーを密封し、10~15℃で反応を完了させました。析出物はろ過により除去しました。得られた黃緑色の濾液に無水エタノールと酢酸を加えてさらに反応させた。得られた前駆體を25分間磁気攪拌した。最後に、過塩素酸リチウムとエチレングリコールメチルエーテルを加えてドーピングし、さらに25分間磁気攪拌してゾルを調(diào)製した。その後、スピンコーターを用いてコーティングを施した。最初の層を塗布した後、基板を室溫で自然乾燥させた。2層を塗布した後、マッフル爐で熱処理を行った。

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